Tóm tắt

Đặt vấn đề: Phẫu thuật nhổ răng khôn hàm dưới là một trong những thủ thuật ngoại khoa phổ biến nhất trong nha khoa, thường đi kèm các biến chứng sau phẫu thuật như đau, sưng mặt và há miệng hạn chế, ảnh hưởng đáng kể đến chất lượng sống và khả năng lao động của bệnh nhân. Trong bối cảnh cần hạn chế sử dụng thuốc kháng viêm và giảm đau kéo dài, liệu pháp Laser Diode cường độ thấp (LLLT) được đề xuất là một phương pháp điều trị hỗ trợ tiềm năng nhờ tác dụng kích thích sinh học trên mô sống, song hiệu quả so sánh giữa các bước sóng khác nhau vẫn chưa được làm rõ. Mục tiêu: So sánh hiệu quả của Laser Diode 810 nm và 660 nm trong giảm đau, giảm sưng mặt và giảm há miệng hạn chế sau phẫu thuật nhổ răng khôn hàm dưới lệch. Đối tượng và phương pháp: Nghiên cứu tiến cứu, thiết kế nửa miệng (split-mouth design), mù đơn trên 33 bệnh nhân có 2 răng khôn hàm dưới lệch đối xứng hai bên, được chiếu Laser Diode 810 nm (nhóm 1) hoặc 660 nm (nhóm 2) ngay sau phẫu thuật. Đánh giá mức độ đau (VAS) mỗi ngày trong 7 ngày; sưng mặt và há miệng hạn chế vào ngày 1, 2 và 7; hài lòng qua thang Likert 5 mức độ. Kết quả: Không có sự khác biệt có ý nghĩa thống kê về điểm VAS, sưng mặt và há miệng hạn chế giữa 2 nhóm tại tất cả các thời điểm đánh giá (p > 0,05). Điểm VAS của cả 2 nhóm bằng 0 từ ngày 5–7. Nhóm 660 nm có mức độ hài lòng về quy trình điều trị cao hơn có ý nghĩa thống kê (4,64 ± 0,49 so với 4,33 ± 0,48; p < 0,05). Kết luận: Trong phạm vi nghiên cứu này, Laser Diode 810 nm và 660 nm cho thấy hiệu quả lâm sàng tương đương nhau. Tuy nhiên, phác đồ sử dụng Laser Diode 660 nm có ưu điểm về tính thuận tiện trong quy trình chiếu và ghi nhận mức độ hài lòng cao hơn từ người bệnh.